CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進入7nm之后,EUV光刻工藝是少不了的,現在內存還停留在10nm工藝級別,暫時沒用到EUV工藝,不過三星、SK海力士及美光也確定未來會用,其中美光的EUV工藝內存在2024年量產,
美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認,美光已將EUV技術納入DRAM技術藍圖,將由10nm世代中的1γ(gamma)工藝節點開始導入。
美光EUV工藝DRAM將會先在臺中A3廠生產,預計2024年進入量產階段。
注意,這個是1γ工藝,不是之前的1y工藝,10nm級別的內存工藝中前三代是1x、1y、1z,再往后是1a、1β、1γ等,
在美光之前,三星及SK海力士都更早進入了EUV節點,從去年底就開始部署EUV光刻工藝了,而且比美光更激進,最快在1a工藝節點就會量產EUV內存芯片,