經費不足?深圳第三代半導體研究院被曝解散

有消息稱,因為經費不足等原因,深圳第三代半導體研究院決定解散。

網上流傳出一份疑似深圳第三代半導體研究院發布的《解散通告》,其中稱該研究院決定自2021年8月31日起全面停止經營。

2018年3月31日,在深圳市委市政府支持下,第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、南方科技大學部主要參與共建的深圳第三代半導體研究院正式啟動。

按照官方說法,該研究院面向2030國家第三代半導體戰略需求,圍繞建設世界科技強國的戰略目標,依托第三代半導體產業技術創新戰略聯盟,通過資源整合、優勢互補、錯位發展,創新體制機制打造的開放式、國際化、全鏈條的第三代半導體協同創新平臺,

研究院立足深圳、覆蓋粵港澳大灣區、面向全國,力爭成為國家第三代半導體技術創新中心,推動大陸第三代半導體全產業鏈進入世界先進行列。

截至目前,深圳市第三代半導體研究院官方渠道還沒有任何消息公布,官網也能正常打開。

第一代半導體材料主要是指硅(Si)、鍺(Ge)元素半導體,是半導體分立器件、集成電路和太陽能電池的最基礎材料,

第二代半導體材料是指化合物半導體材料,如砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)、磷化銦(InP),以及三元化合物半導體材料,如鋁砷化鎵(GaAsAl)、磷砷化鎵(GaAsP)等,

還有一些固溶體半導體材料,如鍺硅(Ge-Si)、砷化鎵-磷化鎵(GaAs-GaP)等;玻璃半導體(又稱非晶態半導體)材料,如非晶硅、玻璃態氧化物半導體等;有機半導體材料,如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等,

它們主要用于制作高速、高頻、大功率以及發光電子器件,是制作高性能微波、毫米波器件及發光器件的優良材料。

第三代半導體材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶(禁帶寬度Eg>2.3eV)的半導體材料。

它們具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和速度、更高的抗輻射能力,更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件,

從目前第三代半導體材料及器件的研究來看,較為成熟的第三代半導體材料是SiC、GaN,而ZnO、金剛石、氮化鋁等第三代半導體材料的研究尚屬起步階段,

當前大陸發展第三代半導體及其器件的最大瓶頸是原材料,大陸 SiC 和 GaN 材料的制備與質量等問題亟待破解。

目前大陸對 SiC 材料制備的設備尚為空缺,大多數設備還依賴進口,大陸開展 SiC、GaN 材料和器件方面的研究工作起步比較晚,與國外相比水平還較低,缺少原始創新的專利,

因此,發展第三代半導體材料和器件的步伐有待加速。

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