中芯要達到臺積電的技術水平，需要幾年時間？

在制造芯片的圓晶體代工領域，大陸的中芯國際，要達到甚至超過大陸臺灣臺積電的技術水平，有3種途徑。

第一種途徑是大陸突破美國的阻撓，從荷蘭的阿斯麥（ASML）公司獲得目前最先進的EUV極紫外線光刻機。

光刻機是制造芯片必不可少的設備，而目前7納米以下制程的芯片，都必須用到阿斯麥公司最先進的光刻機，臺積電、三星和英特爾因為有阿斯麥最先進的光刻機，因此理論上可以制造出7納米以下制程的芯片。

目前來說臺積電在圓晶體代工領域，可以說是略勝三星和英特爾一籌，加上臺積電只是代工廠，更讓華為和蘋果放心，因此它們的5納米制程芯片目前都交由臺積電代工。

而且臺積電3納米制程的芯片工廠也已經破土動工了，未來3年內應該可以實現生產，而目前中芯國際才剛實現14納米制程芯片的量產，和臺積電在芯片制造技術上差了好幾代。

據說中芯國際通過現有技術的創新，可以制造出和臺積電7納米制程性能接近的芯片，但真正量產也還要一段時間，至于7納米以下制程的芯片，離開阿斯麥最先進的光刻機，中芯國際目前是無能為力了。

本來中芯國際已經向阿斯麥公司訂購了一臺最先進的光刻機，如果按照合同這臺機器早就應該到貨了，但是在美國的威逼利誘下，荷蘭政府硬是不讓放行。

如果大陸如果能讓荷蘭政府頂住美國壓力放行的話，這臺目前世界上最先進的光刻機到貨之后，在中芯國際兩大聯合執行董事之一的梁孟松帶領下，中芯國際在5年內趕上臺積電也不是不可能，要知道三星的圓晶體代工技術正是在梁孟松加盟后，才逐漸接近臺積電的。

現在美國為了打壓華為，又出臺使用了美國技術的公司，要向華為提供設備必須向美國商務部申請的規定，由于阿斯麥光刻機使用了美國的關源設備等技術，而中芯國際又和華為展開了密切的合作，因此中芯國際要拿到最先進的光刻機就更難了。

其實中芯國際現有的生產工藝也用到了美國技術，因此按美國的規定的話，也需要向美國商務部申請向華為提供設備，但是我們肯定不會也不能理會美國的無理要求，所以技術的去美國化勢在必行。

當然美國也不沒有掌握最先進的光刻機和芯片制程工藝，如果阿斯麥和臺積電等公司聯合起來反對美國的禁令，美國對此最終也是無可奈何的，畢竟禁了阿斯麥和臺積電，美國一樣生產不出最先進的芯片。

但是由于美國積威已久，這些公司本身就比較親美，大股東都是美國資本，荷蘭也美國的忠實小弟，因此中芯國際要從阿斯麥公司獲得最先進的光刻機這一途徑，目前來看成功的希望非常渺茫。

第二種途徑，當然就是大陸自研出媲美甚至超越阿斯麥公司的的光刻機了，大陸在刻蝕機方面已經處于國際領先地位，如果攻克了光刻機這一難關，那么西方國家要在芯片上卡我們的脖子就很難了。

只是目前大陸最先進的光刻機和阿斯麥公司還有很大差距，在未來幾年內，能夠生產出可以制造7納米芯片的光刻機就算不錯了，而臺積電也在不斷進步，因此中芯國際要靠自研光刻機趕上臺積電，可能需要10年甚至更久的時間。

當然在壓力下，大陸的光刻機實現跨越式發展最好不過了，畢竟能生產光刻機大陸還是有研發光刻機的基礎的，如果投入大量資源和毅力的話，我相信我們一定能克服難關，到時候就是這些跟美國為虎作倀的公司的死期了。

第三種途徑就是采用新的工藝和技術，正如阿斯麥公司采用新工藝，對日本光刻機公司實現彎道超車一樣，實現對臺積電的超越。

盡管臺積電等公司一再打破摩爾定律，將芯片的制程不斷向前推進，但是繼續向前推進的技術難度越來越大，許多人估計推進到2納米就很難再推進了，如果有新的更好的工藝取代現有技術的話，就有可能實現對臺積電的彎道超車了。

不過誰也說不準，新技術何時能突破和是否可行，畢每項技術的革新都需要承當失敗的巨大風險的，因此中芯國際靠技術革新實現對臺積電的彎道超車，在時間上誰也說不準。

總之中芯國際要達到臺積電等水平，最大制約因素就是光刻機，要么是我們獲得先進的光刻機，要么是我們研發出繞過光刻機的新工藝技術，不然中芯國際超越臺積電無望，所以許多人覺得早日實現國家統一就好了。