2020年Intel TOP3技術創新:10nm工藝位列第二

2020年還有不到2周就過完了,年底又是一個回顧總結的季節了,Intel公司在這一年中有什么技術創新呢?芯片業內人士給點評了一下,10nm SuperFin工藝位列第二。

推出這個評選的是推特用戶Witeken,他不僅經常爆料AMD/Intel最新資訊,也是芯片行業的專業人士,評選的主要是芯片技術層面的,很專業。

根據他的選擇,2020年Intel第一大技術創新是Lakefield處理器上的Foveros 3D堆棧,這是一種新的3D封裝技術,可以把不通工藝的IP核心封裝在一起,Lakefield的5核心就是1個大4小,分別使用了10nm、22nm工藝的。

第二個創新是Tiger Lake上首發的10nm SuperFin工藝,這也是今年Intel在CPU工藝上最重要的一次進步,使用了全新的Super MIM器件,號稱實現了單節點內最大的性能提升,超過15%,

雖然很多人看工藝數字都覺得Intel的10nm SF工藝不如臺積電7nm、5nm先進,但是別忘了,Intel在半導體技術上的根底還在,10nm工藝的創新確實不少,詳細可以了解這里。

第三大創新就是硅基光電子,帶寬是PCIe 6.0的6倍,這也是Intel布局未來半導體技術的一個重點領域,光電子技術也很領先,只是現在還沒大規模商業化,

其他還有3條新技術,分別涉及低溫工藝、A,MX指令集及Statix 10 NX FPGA芯片等,相比前面三條更加專業,

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