1αnm內存全球首創!容量猛增40%

美光今天宣布,已經開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內存芯片,這也是迄今為止最先進的DRAM工藝,可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。

不同于CPU、GPU等新品,DRAM內存、NAND閃存的工藝節點都不使用明確的數字,而是1x、1y、1z、1α等等,越往后越先進,或者說1xnm比較接近20nm,1αnm則更接近10nm,

美光的1αnm DRAM工藝可適用于各種不同的內存芯片,尤其適用于最新旗艦行動電話標配的LPDDR5,相比于1z工藝可以將容量密度增加多達40%,同時還能讓功耗降低15%,能讓5G行動電話性能更好、機身更輕薄、續航更持久。

DDR4、LPDDR4甚至是未來的DDR5,同樣都能使用這種新工藝,并支持智能行動電話、筆記本、臺式機、服務器、嵌入式等各種應用設備,

美光臺灣晶圓廠已經開始量產并出貨1αnm DRAM內存芯片,首批是DDR4內存條,隸屬于Crucial英睿達品牌,還在試產和評估LPDDR4,后續會用于更多內存類型,

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