我目前微電子研究所在讀，偏工藝方向的，其實設計主要考慮的性能方面，而14nm和7nm芯片能否實現主要是在工藝上是否能夠實現，而在工藝上能否實現，主要靠的是光刻機等設備。順便普及一下14nm和7nm指的是什么：

28nm以上芯片的元器件（MOSFET）

28nm以上芯片的元器件主要是MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），MOSFET主要有source（S，源極），drain（D，漏極），gate（G，柵極），工作原理是，通過柵極施加電壓，從而能夠使得源極與漏極之間能夠導通，導通就可以工作，就能夠利用電子的電荷傳輸資訊，所以這個閾值電壓是源漏極之間能否導通的關鍵。28nm以上的器件用的下圖的結構，這個28nm是指溝道AB的距離。下圖是準二維的溝道

28nm以下芯片的元器件（FinFET）

28nm以下芯片的元器件主要是FinFET（鰭式場效應晶體管），其實這個FinFET也是屬于MOSFET，只不過是這個溝道是多個面的，這樣有效面積不變的情況下，可以將溝道之間的距離縮小到28nm以下，下圖的溝道（14nm或者7nm）是黃色的區域。

芯片設計的陣列

而芯片設計，主要是陣列設計器件性能，這陣列上的一個個點就是上面說的元器件。

以上就是關于芯片的一些基本知識，希望對你有所幫助！