2019年大陸的合肥長鑫推出了大陸DDR4記憶體，結束了大陸沒有DRAM芯片自產的日子，此后也有其他公司準備進軍記憶體市場，比如兆易創新，該公司日前透露了其記憶體計劃，2021年上半年將推出4Gb DDR3記憶體。
兆易創新在電話會議中透露，自研DRAM現在還在按照原計劃進行，目前研發進度跟預期基本一樣，預期明年上半年會有產品出來。
兆易創新表示，自研第一個產品會是DDR3, 4Gb，面向利基市場。
2021年還在研發DDR3記憶體？別急，雖然明年DDR3記憶體已經不是什么新東西了，DDR5都要上市了，但DDR3還不會被淘汰，而且兆易創新主要是用于利基市場，也就是消費電子產品，對記憶體的性能、容量等要求不高。
考慮到兆易創新的主力產品，比如NOR閃存、MCU主控等等都是面向嵌入式、消費電子等市場的，其首款記憶體主打這一市場也不讓人意外。
即便是DDR3記憶體，對任何沒有記憶體研發、設計經驗的公司來說，技術門檻還是很高的，兆易創新選擇看似落后但比較穩妥的研發路線也沒什么可說的。
去年底，兆易創新宣布募資33.2億元研發記憶體，這點錢并不算多，所以研發DDR3記憶體情有可原。
他們還公布了記憶體研發的路線圖，如下所示：
·2020年，兆易創新將啟動首款DRAM芯片產品定義，包括市場定位、產品規格及芯片設計工藝，
·2020年，兆易創新將定義首款芯片的生產職稱，并將經過驗證后的設計開展流片試樣，反復修改直至通過系統驗證，
·2021年，對首款芯片試樣進行封裝測驗，并送交系統芯片商進行功能認證，并最終通過客戶驗證。
·2021年，首款芯片通過驗證之后進行小批量生產，測驗成功后進行大批量生產。
·2022-2025年，進行新系列芯片研發及量產，
