TLC/QLC注意 全新19nm SLC閃存來了:良率極佳

做為最早問世的閃存類型,SLC閃存在性能、可靠性上是最佳的,P/E擦寫次數在1萬到10萬次之間,遠超MLCTLCQLC閃存。

不過SLC閃存成本也是最高的,而且容量也不如其他的閃存類型,所以近年來應用市場越來越狹窄,主流市場已經銷聲匿跡,生產廠商也越來越少,

旺宏電子日前透露,該公司研發的19nm SLC閃存進展順利,良率極佳,新產品新應用已經進入驗證階段。

旺宏表示,他們的SLC閃存率先實現了在主芯片處理ECC的創新主張,已成為最佳品質及成本效率典范;19nm SLC NAND也取得 NAND 重要成本優勢,全面進入業界領先制程,

不過旺宏電子并沒有透露SLC閃存的具體規格及產品資訊。

除了SLC閃存,旺宏也在研發3D閃存,48層堆棧的3D閃存已經完成研發,很快會量產,后續則會沖刺1923D閃存,

0 条回复 A文章作者 M管理員
    暫無討論,說說你的看法吧