在科學家的努力下，已經造出了世界最小的存儲單元，其尺寸真的是小到讓人驚嘆。
據外媒New Atlas報道，得克薩斯大學部的工程師們創造了有史以來最小的記憶存儲設備之一，由一種二維材料制成，橫截面面積只有一平方納米，
這種被稱為 “原子電阻”的裝置是通過單個原子的運動來工作的，這將為具有難以置信的資訊密度的更小的記憶系統鋪平道路，
這種新設備屬于一類新興的電子器件，稱為記憶電阻(Memristors)，它使用電阻開關存儲數據。從本質上講，當某種材料暴露在一定的電壓下時，其電阻可以切換，變得更強或更弱，這種現象可用于將數據寫入設備，隨后可測量其相對電阻以“讀取”存儲的數據，
該團隊表示，新裝置是有史以來最小的原子存儲器單元。二硫化鉬被制作成尺寸為1×1納米的薄片，厚度只有一個原子。如果要擴大規模，它可以用來制造每平方厘米約25TB的存儲容量的芯片，這比目前的閃存所能提供的容量高100倍左右，它運行所需的能量也更少。
