前不久，IBM公布了2nm技術路線，讓人倍感振奮，雖然摩爾定律速度放緩，但硅晶片微縮的前景依然廣闊，
不過，2nm之后就是1.5nm、1nm，硅片觸及物理極限。
日前，臺大、臺積電和麻省理工共同發布研究成果，首度提出利用半金屬Bi作為二維材料的接觸電極。它可以大幅降降低電阻并提高電流，使其效能媲美硅材料，有助于半導體行業應對未來1納米世代的挑戰。
論文中寫道，目前硅基半導體已經推進到5nm和3nm，單位面積容納的晶體管數量逼近硅材料物理極限，效能無法逐年顯著提升，此前，二維材料被業內寄予厚望，卻始終掣肘于高電阻、低電流等問題，
此次三方合作中，麻省理工是半金屬鉍電極發現者，臺積電將鉍（Bi）沉積制程進行優化，臺大團隊運用氦離子束微影系統（Helium-ion beam lithography）將元件通道成功縮小至納米尺寸，終于大功告成，耗時長達一年半的時間，
4月下旬的時候臺積電更新了其制程工藝路線圖，稱其4納米工藝芯片將在2021年底進入“風險生產”階段，并于2022年實現量產；3納米產品預計在2022年下半年投產， 2納米工藝正在開發中，
