重磅!三星3nm工藝邁出關鍵一步

全球目前量產的 最先進工藝是5nm,臺積電明年就要量產3nm工藝,不過3nm節點他們依然選擇FinFET晶體管技術,三星則選擇了GAA技術,日前三星也成功流片了3nm GAA芯片,邁出了關鍵一步。

3nm節點,三星比較激進,直接選擇了下一代工藝技術——GAA環繞柵極晶體管,通過使用納米片設備制造出了MBCFETMulti-Bridge-Channel FET,多橋通道場效應管),該技術可以顯著增強晶體管性能,主要取代FinFET晶體管技術,

根據三星的說法,5nm制造工藝相比,3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了約30%

三星早在2019年就公布了3nm GAA工藝的PDK物理設計套件標準,這次3nm芯片流片是跟Synopsys合作完成的,雙方聯合驗證了該工藝的設計、生產流程,是3nm GAA工藝的里程碑,

不過三星、Synopsys并沒有透露這次驗證的3nm GAA芯片的詳情,官方只說GAA架構改進了靜電特性,提高了性能,降低了功耗,

3nm GAA工藝流片意味著該工藝量產又近了一步,不過最終的進度依然不好說,三星最早說在2021年就能量產,后來推遲到2022年,但是從現在的情況來看,明年臺積電3nm工藝量產時,三星的3nm恐怕還沒準備好,依然要晚一些,

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