先進半導體工藝上,臺積電、三星一直你追我趕,但是這幾年,三星明顯有些跟不上趟,不但新工藝的量產進度緩慢、延遲,性能、客戶規模也遠不如對手。
2021大陸IP與定制芯片生態大會上,三星公開了一份新工藝路線圖,赫然顯示3GAP 3nm要到2023年才會量產,而臺積電早就宣稱,會在明年下半年量產自己的3nm,
三星之前也說過會在2022年量產3nm,不過一直說的是3GAE版本,也就是3nm gate-all-around early,可以理解為3nm工藝的初始早期版本,而路線圖上的3GAP,指的則是3nm gate-all-around plus,相當于3nm工藝的加強版,性能自然更好。
這么看來,三星取消了3GAE,直接上更好的3GAP?
有外媒聯系了三星的一位發言人,得到的回應是,三星一直在與客戶探討3GAE工藝,將在2022年如期量產,
這么看來,最大的可能是3GAE工藝還在,但沒有外部客戶采納,三星要么拿它來做實驗(代價有點大),要么是僅限自用(三星LSI部門),反正是懸了。
三星宣稱,3GAE工藝對比7LPP可以性能提升最多35%,或者功耗降低最多50%,或者面積減小最多45%,而且最早說的投產時間是2021年底,現在推到了2022年,但還說如期……
至于3GAP對比3GAE會有多大提升,三星一直沒有明確給出數據。
另外在路線圖上,三星5nm、4nm也都增加了新版本,除了初期的5LPE、4LPE,分別增加了集成度和性能都更高的5LPP、4LPP,都支持EUV極紫外光刻,分別計劃今年、明年量產,