TLC/QLC再見!未來三代閃存顆粒公布:HLC擦寫1000次不死

說起來,SSD和機械硬碟,提升容量的方式有些相似,前者主要靠提高每單元存儲的電位數量和增加堆疊層數,而后者則是靠增大盤片容量和盤片數。

閃存顆粒的演進我們已經看在眼里,MLC SSD已經基本在消費市場絕跡,目前主要是TLC尤其是QLC打天下。

所謂QLC就是每單元存儲4個電位,而取代它的將是存儲5電位的PLC(penta level cell),

實際上,鎧俠(原東芝存儲)早在2019年就投入了PLC閃存技術的研究。鎧俠最近披露表示,PLC之后,還有存儲6電位的HLC(hexa level cell)和存儲8電位的OLC(octa level cell)。

因為要存儲多個電位,就需要不同的電壓狀態,QLC是2的4次方,也就是16個電壓狀態,PLC是32個,相應地,HLC需要多達64種電壓狀態,這對主控將是極大的考驗,畢竟64種電信號不能相互干擾。

盡管難度高,但HLC的存儲密度畢竟比QLC高出50%,對廠商的誘惑還是很大,

目前,鎧俠已經在-196°C的液氮環境中,實現了HLC閃存1000次PE(可編程擦寫循環),預計量產后,恐怕會降到100次PE,

當然,大家不用太擔憂,因為HLC時代,存儲容量將非常夸張,堆疊層數也會在600~1000次甚至更多,這意味要寫滿一次SSD,需要的時間并不會比現在的TLC、QLC明顯差很多。

0 条回复 A文章作者 M管理員
    暫無討論,說說你的看法吧